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高性能澳门永利总站基发光器件研究

发布时间:2017-11-14 11:01 编辑:澳门永利总站

 澳门永利总站(ZnO)是一种具有60meV激子结合能的直接宽禁带半导体资料,其带边发射为3.37eV,因为其室温下激子能够安稳存在,而且激子相关的发光功率在理论上比一般的电子空穴等离子功率高,多年来一向作为一种新式高功率发光资料而被广泛重视,而澳门永利总站的纳米结构:纳米线、量子点、纳米管等易于组成,其相关的发光器材也被很多研讨,尤其是纳米线基发光器材取得了很多的新进展。
澳门永利总站
      可是ZnO纳米线发光器材间隔运用还面临着许多问题,本文根据这些问题展开了研讨,取得的主要成果如下:(1) p-n结器材是完成高效澳门永利总站发光器材的最优挑选,可是长久以来,困扰p-n结器材的最大问题就是一起具有高空穴浓度,高迁移率的p型澳门永利总站一向没有研制成功。根据此问题,经过采用MIS结构,完成了高结晶质量的纳米线阵列的高强度(3.7w)发光二极管,研讨成果证明了c轴取向性共同的澳门永利总站纳米线能够代替薄膜完成高效的发光器材。(2)高结晶质量的澳门永利总站资料是完成高效澳门永利总站发光器材的根底,可是难于取得。关于澳门永利总站薄膜资料来说,因为与传统衬底(蓝宝石,硅)的晶格失配较大,很难构成单晶薄膜,而澳门永利总站单晶衬底的造价过于贵重,无法在运用中广泛运用。这些都为高结晶质量的澳门永利总站资料的制备造成了困难。根据此问题,经过优化MOCVD的成长工艺,制备了高结晶质量的澳门永利总站单晶纳米线阵列,其c轴取向性共同,能够替代薄膜作为高效发光资料,在高质量的澳门永利总站纳米线的根底上制备了Au/MgO/ZnO的异质结,完成澳门永利总站纳米线的电泵浦随机激光现象。(3)高效的澳门永利总站的带边发射是完成高效自由激子相关的根底,可是缺点相关的发光多数占主导,这导致了器材的禁带发光较弱,器材的寿数较短。根据此问题,经过使用能带工程,使用氧锌镁和澳门永利总站异质结对载流子输运的约束,取得了完全由澳门永利总站带边发射为主体的发光器材,在有用的按捺了缺点相关的发光一起,完成了长寿数(20多小时),纯紫外发光二极管。这证明了氧锌镁与澳门永利总站异质结器材的载流子约束优势,为完成高效的澳门永利总站带边发射供给了借鉴。

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