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用热处理来增强澳门永利总站中的氮掺杂

发布时间:2017-12-22 16:19 编辑:澳门永利总站

  澳门永利总站厂经过热处理来增强澳门永利总站中的氮掺杂的研究工作现已打开。运用光致电子顺磁共振技能(EPR),并在空气或许氮气氛下在600-900温度范围内退火,在运用该方法制备的氮掺杂澳门永利总站晶体中,调查到了氮受主的构成。这一成果的原因是N在热退火过程中替代为浅的施主杂质。
      固源化学气相淀积法(SS-CVD)也可以用来澳门永利总站的N掺杂。二水醋酸锌(Zn(CH3COO)2·2H2O, solid)和(CH3COONH4, solid)别离作为固体源和N源。试验成果的样品显示出P型导电性,空穴浓度为9.8×1017 cm?3,电阻率20Ωcm,空穴迁移率0.97cm2 /V s。
      虽然上面报道说现已成功的获得了N掺杂的澳门永利总站薄膜,但也有相当多的报道,编辑没有可以重复这些成果,即便选用相同的成长方式,相同的成长条件和相同的N源。因而,即便以为该陈述的成果表明是真实的p型澳门永利总站,重现这些成果仍是一个大问题,而且这个问题必须得在澳门永利总站应用于光电子学,如同质结LED和激光二极管(LDs)之前处理。最后,这个问题至少比及高效率注入的ZnO的p - n结才干处理。

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